
سی-اس آی، اصلی ترین جرم تجاری باب تولید سلولهای خورشیدی است و به اشکال مختلفی استفاده می شود : سیلیکون های تک کریستالی ، سیلیکون های چند کریستالی و سیلیکون لایه نازک . تکنیکهای مرسوم برای تولید کریستالین سیلیکون شامل : آیین چوکرالسکی، آیین محدوده شناور و روشهای دیگری نظیر ریخته گری می باشد. ستردن ناخالصیها از سیلیکون اهمیت بسیاری دارد. این عمل با کمک تکنیکهایی چون منفعل سازی سطح ( حرف تابش هیدروژن به سمت یک سطح ) و گترینگ ( یک روش شیمیایی که با حرارت ...